BCECs细胞 鼠脑微血管内皮细胞

细胞：BCECs细胞

中文名称：鼠脑微血管内皮细胞  

生长特性：贴壁细胞

培养基：DMEM-H +10%FBS（GIBCO胎牛血清）

冻存条件：50%基础培养基、40% FBS、10% DMSO

细胞常规培养传代流程（ 请严格遵照无菌操作）

1． 吸出原培养瓶中的培养基，PBS 缓冲液润洗细胞两次，加 2-3 ml 0.25% yi酶进行消化细胞（注意把握消化时间，通常控制在 1-2min）

2． 镜下观察消化情况，在细胞边缘缩小，贴壁松动时（不建议消化到细胞漂浮）去掉yi酶，加 6~8ml 培养基，轻轻吹打细胞层，尽量把细胞层吹落，吹散。

3． 取部分细胞悬液转移到新的培养皿/瓶中，添加适当的培养基，把细胞悬液打匀，于培养箱中培养。

4． 注意培养基 PH 值变化情况，定期换液（每周 2-3 次），待细胞密度达到 80%以后重复 1 项操作或冻存。

（网络信息主针对网络推广作用，仅供参考，细胞培养请咨询细胞库管理员，以细胞库管理员提供给您的信息为准，操作前，如果有不明白之处，先咨询细胞库管理员，避免不必要的损失；）

在III-V族半导体中，InSb化合物具有最窄禁带宽度、高电子迁移率、最小有效质量和最大g因子，是制备高速低功耗电子器件、红外光电子器件及进行自旋电子学研究与拓扑量子计算等前沿物理探索的理想材料。（人Calu-6细胞 来源：通派细胞库 人退行性肺癌细胞）

由于InSb具有晶格常数大以及固有的n型导电性特征，难以找到合适衬底外延生长，通常人们采用缓冲层技术。（人kyse30细胞 来源：通派细胞库 人食管癌细胞）

然而，晶格失配引起的位错缺陷会沿着缓冲层向上延伸，甚至延伸至缓冲层表面，使得缓冲层表面不能形成的晶格结构，从而影响外延的InSb薄膜晶体质量。半个多世纪以来，高质量InSb材料制备一直是困扰研究人员们的难题。（人KYSE-510细胞 来源：通派细胞库 人食管癌细胞）

利用分子束外延技术，在Si衬底上生长出高质量纯相InAs纳米线，然后通过控制生长温度和束流比，创造性地在一维InAs纳米线上生长出了二维高质量InSb纳米片。（人kyse410细胞 来源：通派细胞库 人食管癌细胞）

这种免缓冲层技术制备出来的立式InSb纳米片为纯闪锌矿单晶，结构中观察不到层错及孪晶等缺陷。（人BXPC-3-RFP细胞 来源：通派细胞库 人原位胰腺癌细胞）

其长度和宽度达到微米量级（大于10微米）、厚度可薄至10纳米。将这种高质量的二维InSb纳米片制成了场效应器件，器件具有明显的双极性特征，低温下场效应迁移率近20000 cm2 V-1 s-1。